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2026飛納電鏡選型
飛納（Phenom）源自 FEI，誕生于荷蘭“發(fā)明之城"埃因霍溫，以“任何人都可用的掃描電鏡"理念，現已發(fā)展成為臺式掃描電鏡領域的品牌。始終致力于讓掃描電鏡測試更簡單、更高效，是飛納不變的初心。
2026 年，飛納電鏡迎來第七代產品革新，為中國 2500+ 用戶帶來更智能、更高效、更可靠的顯微分析體驗。覆蓋數百所高校、中科院等科研院所、政府機構，以及新能源、生命科學等多個工業(yè)領域。其應用研究方向廣泛，涵蓋金屬與合金、電池、地質與考古、高分子材料、靜電紡絲、陶瓷與復合材料、生物醫(yī)學、微生物等多個前沿與交叉學科。
同時，飛納電鏡支持拓展 EBL 功能，自主編程功能，原位拉伸/壓縮功能，原位加熱/冷凍功能，樣品真空轉移等，亦可進行定制化。
制樣簡單 無需噴金即可觀察不導電樣品
飛納臺式場發(fā)射掃描電鏡采用防震設計，在緊湊的臺式機身上實現接近大型場發(fā)射電鏡的成像性能。其低電壓成像能力有效降低電子束對樣品的損傷與穿透，較大程度還原樣品的真實表面形貌。
在延續(xù)電鏡與能譜一體化設計的基礎上，系統(tǒng)進一步升級快速面掃描功能，可即時呈現元素分布；配合實時能譜分析，實現成分信息的同步獲取，顯著提升檢測效率與分析可靠性。
肖特基場發(fā)射電子槍
分辨率超高的臺式電鏡
可選 STEM 模式：BF、DF、HAADF 像
低電壓成像
電鏡能譜一體化設計
不受震動、磁場等環(huán)境因素干擾
型號推薦
分辨率：優(yōu)于 1nm
成像模式：BF、DF、HAADF
分辨率：優(yōu)于 1.5 nm
放大倍數：2,000,000 X
分辨率：優(yōu)于 2.5 nm
放大倍數：1,000,000 X
全新一代 CeB? 晶體燈絲掃描電鏡實現關鍵性能突破，將單根燈絲壽命提升至 3000 小時，使燈絲更換周期由平均 3 年延長至約 5 年，顯著降低維護頻率與使用成本。
飛納電鏡采用臺式一體化設計，具備防震能力，對安裝環(huán)境要求低。操作流程高度簡化，適配不同經驗層級的用戶，僅需約 30 分鐘培訓即可獨立上手。同時，系統(tǒng)支持多種特色功能擴展，滿足科研與工業(yè)應用的多樣化需求。
穩(wěn)定可靠：80 年技術傳承
采用 CeB 晶體燈絲：3000h 超長使用壽命，平均 5 年換燈絲
自動化與 AI 智能掃描電鏡
內置減震系統(tǒng)，可直接放置于生產車間、高樓層 QC 實驗室等
原廠集成能譜 EDS：從電子光學設置、圖像采集到能譜分析和面分布，都在同一個統(tǒng)一、直觀的界面中完成
低電壓成像功能：對于不導電、導電性差、以及電子束敏感樣品，不噴金，仍具有成像能力
型號推薦
發(fā)布的大倉室自動化掃描電鏡 Phenom XL G3，以 3000 小時長壽命 CeB? 晶體燈絲與全新 AI 智能自動化平臺為核心，實現性能穩(wěn)定性與檢測效率的雙重躍升。Phenom XL 可對不超過 100x100mm 的樣品進行分析，8nm 的分辨率為分析提供更多的細節(jié)。在保證高分辨率成像與元素分析能力的同時，大幅降低維護頻次與使用門檻，顯著提升設備稼動率。
Phenom ProX G7
放大倍數：350,000 X
分辨率：優(yōu)于 6 nm
探測器：BSD，SED（可選），EDS
Phenom Pro G7
放大倍數：350,000 X
分辨率：優(yōu)于 6 nm
探測器：BSD，SED（可選）
Phenom Pure G7
放大倍數：175,000 X
分辨率：優(yōu)于 10 nm
探測器：BSD，SED（可選）
Part 03AI 智能化掃描電鏡
Phenom AI 智能掃描電鏡，支持全流程自動成像和自由編程（PPI）功能（適配所有飛納型號），為微觀世界的探索帶來了自由度和無限可能。
機械手自動上樣：無需人工，高一致性標準操作
全流程自動成像與參數調節(jié)
數據數字化回傳
自由編程：打造私人訂制工作流
高穩(wěn)定性環(huán)境適應能力
大幅提高工作效率
ParticleX 基于掃描電鏡與能譜分析技術，融合自動化控制系統(tǒng)與高性能數據庫平臺，實現雜質顆粒的全自動識別、成分分析及分類統(tǒng)計。系統(tǒng)可在無人干預條件下完成從檢測到數據輸出的完整流程，為研發(fā)與生產過程提供快速、準確且可追溯的定量數據支持，顯著提升分析效率與質量管控水平。
Cu、Zn 異物及鐵磁性異物檢測
符合 ISO16232，VDA19 標準
全自動檢測 SiO，AlO等硬質顆粒和成分
一體化鋼中非金屬夾雜物分析
顆粒分析及過程控制的工業(yè)級解決方案
DiatomAI™ 利用人工智能的技術，賦能法醫(yī)硅藻檢驗系統(tǒng)，配合 DiatomScope™ ，實現了掃描和檢測的全自動化。它是目前市面上可靠、高效、自動化程度高的硅藻檢測解決方案，幫助法醫(yī)在檢測過程中實現硅藻的全自動檢測，識別過程全程無需人工參與。大大縮短了檢測時間，提升工作效率。
在槍擊事件中，槍擊殘留物（GSR）的分析發(fā)揮著重要的作用。GSR 分析技術首先基于掃描電子顯微鏡（SEM）的背散射成像，用來掃描樣品和發(fā)現 “可疑" 的 GSR 顆粒。一旦發(fā)現可疑的顆粒，使用能譜（EDS）識別該顆粒的元素。常見的搜索元素為 Pb，Sb 和 Ba。無鉛底火的檢測，例如 Ti 和 Zn 也可作為搜索條件進行搜索。
相關多模態(tài)樣品分析：可將同位置的 AFM （三維形貌、電學、磁學等） 和 SEM （二維形貌、EDS等）數據無縫關聯(lián)。
原位樣品表征：在 SEM 內部的原位條件下確保樣品分析同時、同地、同條件下進行，在飛納電鏡內部也能實現原子級分辨率。
精確定位感興趣區(qū)域：使用 SEM 導航 AFM 探針到感興趣區(qū)域，定位更精準，且定位速度遠超傳統(tǒng) AFM。
使用 SEM 對 AFM 探針進行精準定位，并實現高分辨成像
同一時間、同一位置和相同條件下獲取 AFM 和 SEM 數據，并無縫關聯(lián)
測量模式可涵蓋形貌、CPEM、KPFM、MFM、PFM、STM、EFM、C-AFM、I/V 特性、F/z 特性等，可選配納米壓痕
可兼容賽默飛世爾、TESCAN、蔡司、日立、日本電子等主流品牌，其他品牌亦可定制
icspi 是一家專注于掃描探針顯微技術的加拿大高科技公司，在原子力顯微鏡系統(tǒng)設計、探針控制與納米級表征技術方面擁有深厚的技術積累。其 AFM 產品以高穩(wěn)定性、高重復性及靈活的模塊化架構著稱，廣泛應用于半導體器件表征、薄膜與納米材料研究、精密表面形貌分析等領域。
型號推薦
臺式 AFM 的超快的數據獲取時間
自動配置、接近和掃描
電動 XY 和 Z 平臺，可輕松定位樣品
集成光學顯微鏡
易于使用、耐用的 AFM 芯片
從樣品加載到獲得 3D 納米級數據，只需不到三分鐘
一鍵式自動操作，幾秒鐘內即可將探針對準樣品
每個芯片都能進行 1000 次以上的掃描而無明顯磨損
維護成本低，操作簡便
SEMPREP SMART 配備了高能量和可選的低能量氬離子槍。用于掃描電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）樣品的最終加工和清潔。離子加工可以改進和清潔機械拋光的 SEM 樣品，并為 EBSD 分析制備無損表面。該設備還適用于快速截面加工。為您制備高精度和高質量的樣品，例如在半導體測試或鋰離子電池隔膜的截面檢查中均能實現出色的效果。
氬離子束無應力處理樣品
定位精準：可實現 ±1 微米
離子槍能量：0-16kV
超大樣品腔室：可容納直徑 50mm 樣品
制冷設計：液氮 LN 制冷
可選配真空轉移功能
在對焊接部位的焊接情況進行分析時，需要觀測該部位剖面的合金相分布情況，此時需要用到截面切削的制樣設備--離子研磨儀，進行無應力樣品切削制備后，使用飛納電鏡進一步分析焊接情況。
進一步結合 EDS 能譜面掃分析可知：銀-錫膏和銅面結合，界面有銅-錫為主合金化晶粒生長，銅引腳有鍍鎳層，并在內部發(fā)現有大量的鐵富集相夾雜，近銅界面發(fā)現有氣孔存在。
焊錫截面 EDS 能譜面掃結果
使用 SEMPREP SMART 處理后的 SEM 圖：
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